三星正在量产业内第一款第二代10纳米级DRAM

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IT之家12月20日消息 三星电子今天回应,愿因 结速了了英文批量生产业界领先的10纳米级(1y-nm), 8-gigabit (Gb)的DDR4 DRAM的第二代产品。对于上一代产品来说,新的8Gb DDR4具有8Gb DRAM芯片最高的性能和能源效率,以及更小的尺寸。

三星电子方面表示:“通过开发DRAM电路设计和工艺技术的创新,某些人愿因 突破了DRAM扩展性的主要障碍。通过第二代10nm级DRAM的快速增长,某些人将更加积极地扩展某些人整体的10nm级DRAM的产品产能,以适应强劲的市场需求,并继续加强某些人的业务竞争力。”

三星的第二代10纳米级8Gb DDR4比第一代10纳米级8Gb DDR4的生产率提高了近150%。此外,愿因 采用了先进的专有电路设计技术,新的8Gb DDR4的性能水平和能效分别提高了约10%和15%。新的8Gb DDR4每个引脚可不能能 以每秒3,1500兆比特(Mbps)的效率运行,而该公司的1x-nm 8Gb DDR4的效率为3150Mbps。

为了实现有有哪些成就,三星应用了新技术,而不使用EUV工艺。这里的创新包括使用高灵敏度的细胞数据传感系统和渐进的“空气间隔”方案。

在三星第二代10nm级DRAM的单元中,新设计的数据传感系统可不能能 更准确地选择每个单元中存储的数据,从而显着提高电路集成度和制造效率。